SI2312DS-T1 datasheet
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>> SI2312DS-T1 MOSFET 20V 3.77A datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI2312DS-T1
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 20V 3.77A
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 20V 3.77A
SI2312DS-T1 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
20 V
闸/源击穿电压
+/- 8 V
漏极连续电流
3.77 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
0.033 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-236-3
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SI2312DS-T1
SI2312DS-T1-E3
SI2312DS-T1-E3-
SI2312DS-T1-E3.
SI2312DS-T1-GE3
SI2312DV-T1
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公司名
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13424293654
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13510998172
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0755-23603360
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